Термодинамічні процеси при кристалізації і формуванні ліквації у виливках з високоміцного чавуну
Loading...
Files
Date
2019
Authors
Кропівний, В. М.
Босий, М. В.
Кузик, О. В.
Кропівна, А. В.
Кропивный, В. Н.
Босый, Н. В.
Кузык, А. В.
Кропивная, А. В.
Kropivnyy, V.
Bosii, M.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
ЦНТУ
Abstract
В статті наведено розрахунок коефіцієнтів міжфазового розподілу кремнію та марганцю між аустенітом та рідкою фазою сплаву. Одержана залежність взаємозв’язку коефіцієнта розподілу третього елемента Xi зі зміною температури аустенітно-графітної евтектики для систем Fe-C-Xi (Xi =Mn, Si). Показано, що кремній концентрується в аустеніті та ліквує в центр дендриту. При цьому марганець концентрується в рідині та ліквує на периферію дендрита. Обґрунтовано роль зміни енергії Гіббса в перерозподілі кремнію та марганцю між рідиною і аустенітом. Виявлено, що елементом насичується та фаза, енергія Гіббса якої від домішки елемента зменшується сильніше. Зазначене призводить до зменшення енергії Гіббса всієї системи та визначає величину коефіцієнта розподілу кремнію та марганцю між фазами. В статье приведен расчет коэффициентов межфазного распределения кремния и марганца между аустенитом и жидкой фазой сплава. Полученна зависимость взаимосвязи коэффициента распределения третьего элемента Xi с изменением температуры аустенитно-графитной эвтектики для систем Fe-C-Xi (Xi = Mn, Si). Показано, что кремний концентрируется в аустените и ликвирует в центр дендритов. При этом марганец концентрируется в жидкости и ликвирует на периферию дендрита. Обоснована роль изменения энергии Гиббса в перераспределении кремния и марганца между жидкостью и аустенита. Выявлено, что элементом насыщается фаза, энергия Гиббса которой от примеси элемента уменьшается сильнее. Указанное приводит к уменьшению энергии Гиббса всей системы и определяет величину коэффициента распределения кремния и марганца между фазами. The purpose of this work is to clarify the role of Gibbs energy accounting in crystallization and formation of liquidation in modified high-strength cast iron.
The article presents the calculation of the interfacial distribution coefficients of silicon and manganese between austenite and the liquid phase of the alloy. The obtained dependence of the relationship between the distribution coefficient of the third element Xi and the temperature change of the austenitic-graphite eutectic for the systems Fe-C-Xi (Xi = Mn, Si). It is shown that silicon concentrates in austenite and liquor in the center of dendrites. In this case, manganese is concentrated in liquid and liquor to the periphery of the dendrite. The role of Gibbs energy change in the redistribution of silicon and manganese between a liquid and austenite is substantiated. It is revealed that element saturate the phase, whose Gibbs energy decreases more strongly from the impurity of the element. This leads to a decrease in the Gibbs energy of the entire system and determines the magnitude of the distribution coefficient of silicon and manganese between the phases.
The nature of the Gibbs energy change is found to determine the direction of the redistribution of silicon and manganese between liquid and austenite. Silicon or manganese is also saturated with a phase whose Gibbs energy decreases more strongly from one of these elements. It has been shown that silicon concentrates in austenite and eliminates in the center of the dendrite while manganese concentrates in the liquid and eliminates the periphery of the dendrite.
Description
Keywords
високоміцний чавун, кулястий графіт, кристалізація, ліквація, фаза, розподіл, высокопрочный чугун, шаровидный графит, кристаллизация, ликвация, фаза, распределение, high-duty cast iron, spherical graphite, crystallization, segregation, phase, distribution
Citation
Термодинамічні процеси при кристалізації і формуванні ліквації у виливках з високоміцного чавуну / В. М. Кропівний, М. В. Босий, О. В. Кузик, А. В. Кропівна // Центральноукраїнський науковий вісник. Технічні науки : зб. наук. пр. - Кропивницький : ЦНТУ, 2019. - Вип. 1 (32). - С. 79-86.